適用范圍

滿(mǎn)足各種封裝形式的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT 模塊和可控硅等半導(dǎo)體分立器件高溫反偏/柵偏試驗(yàn)(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測(cè)試(HTIR)。